专利报告：半导体材料技术领域相关技术深度分析报告
[报告名称]: 专利报告：半导体材料技术领域相关技术深度分析报告
[出版日期]: 2007年11月
[交付方式]: EMAIL电子版或特快专递
[价 格]: 印刷版:9800元 电子版:10300元 印刷+电子:10800元
[出版日期]: 2007年11月
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〖 目 录 〗
第一章 概述
第一节 半导体材料技术相关专利发展进程
第二节 我国发展半导体材料技术相关业务环境
第三节 半导体材料技术相关专利简介
一、半导体材料技术专利简介
二、半导体材料技术主流专利简介
三、半导体材料技术重要专利权人简介
第二章 半导体材料相关专利技术分析
第一节 半导体材料相关专利技术总体分析
一、半导体材料技术领域专利申请时间发展趋势
二、半导体材料技术领域专利申请区域分布
三、半导体材料核心技术的专利分布情况及发展趋势
四、半导体材料技术的专利权人分析
五、国内外半导体材料专利技术对比研究
第二节 半导体材料专利技术分析
一、半导体材料技术领域专利申请时间发展趋势
二、半导体材料技术领域专利申请区域分布
三、半导体材料核心技术的专利分布情况及发展趋势
四、半导体材料技术的专利权人分析
五、国内外半导体材料专利技术对比研究
第三节 硅晶片专利技术分析
一、硅晶片技术领域专利申请时间发展趋势
二、硅晶片技术领域专利申请区域分布
三、硅晶片核心技术的专利分布情况及发展趋势
四、硅晶片技术的专利权人分析
五、国内外硅晶片专利技术对比研究
第四节 纳米微晶专利技术分析
一、纳米微晶技术领域专利申请时间发展趋势
二、纳米微晶技术领域专利申请区域分布
三、纳米微晶核心技术的专利分布情况及发展趋势
四、纳米微晶技术的专利权人分析
五、国内外纳米微晶专利技术对比研究
第五节 氮化镓专利技术分析
一、氮化镓技术领域专利申请时间发展趋势
二、氮化镓技术领域专利申请区域分布
三、氮化镓核心技术的专利分布情况及发展趋势
四、氮化镓技术的专利权人分析
五、国内外氮化镓专利技术对比研究
第三章 半导体材料技术重点企业分析
第一节Samsung Electronics公司
1、公司简介及专利申请状况
2、Samsung Electronics相关技术专利申请状况
3、Samsung Electronics相关技术申请地域分布状况
4、重要专利技术保护地域、期限、外围专利状况
第二节Hynix Semiconductor公司
1、公司简介及专利申请状况
2、Hynix Semiconductor相关技术专利申请状况
3、Hynix Semiconductor相关技术申请地域分布状况
4、重要专利技术保护地域、期限、外围专利状况
第三节Matsushita Denki Sangyo公司
1、公司简介及专利申请状况
2、Matsushita Denki Sangyo相关技术专利申请状况
3、Matsushita Denki Sangyo相关技术申请地域分布状况
4、重要专利技术保护地域、期限、外围专利状况
第四节Toshiba公司
1、公司简介及专利申请状况
2、Toshiba相关技术专利申请状况
3、Toshiba相关技术申请地域分布状况
4、重要专利技术保护地域、期限、外围专利状况
第五章 结论及建议
附录：
1、图表目录
2、检索资源
订购流程
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帐户名：
北京数字中商信息技术有限公司
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11001093901052501395
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中国建设银行北京润德支行