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三星电子在美半导体工厂建设成本大增近50%

导读 据报道,三星电子在美国德克萨斯州泰勒市建设的半导体工厂预计将耗资超过250亿美元,这比三星在该半导体厂破土动工时宣布的170亿美元增加了80多亿美元。

3月18日消息,据报道,三星电子在美国德克萨斯州泰勒市建设的半导体工厂预计将耗资超过250亿美元,这比三星在该半导体厂破土动工时宣布的170亿美元增加了80多亿美元。而成本增加的主要原因是全球通货膨胀导致的原材料价格上涨。

据了解,三星这一先进半导体生产基地将占用约500万平方米的土地,计划将于2024年下半年投产。据报道,三星目前对泰勒晶圆厂的投资是其最初宣布的投资(170亿美元)的一半。

由于美国半导体支持法案中的一些不利条款,如需要企业分享超额利润以及不能在中国增加芯片产量等,三星电子正在考虑是否向美国政府申请补贴的问题。

不过,一位业内人士表示:“即使三星电子获得美国的补贴,韩国芯片制造商也很难支付增加的建设成本。这将加深三星电子的担忧。”

专家们认为,从长远来看,三星电子的半导体投资计划不太可能有大的改变。即使在半导体市场不景气的时候,该公司也能通过保持投资规模来保证生产能力,因此预计该芯片制造商在接下来的日子里会坚持这一策略。

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