导读 《科创板日报》30日讯，韩国第二大晶圆代工厂商东部高科（DBHiTek）正加速开发碳化硅（SiC）功率器件。据韩媒报道，DBHiTek今年已着手开发8
《科创板日报》30日讯，韩国第二大晶圆代工厂商东部高科（DBHiTek）正加速开发碳化硅（SiC）功率器件。据韩媒报道，DBHiTek今年已着手开发8吋氮化镓（GaN）制程芯片，目标最快2024年开发完成，目前其6吋碳化硅SiC产能正在测试、生产中，预计最快明年在韩国上虞闲置场地开发8吋碳化硅功率器件并进行设备投资，目标2025年开始出货车用1200V碳化硅MOSFET。
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来源：淘股吧