英伟达与三星合作，预示3nm GAA工艺显卡的新纪元
今天，我们将深入探讨一项备受期待的技术合作，这将对计算机硬件行业产生深远的影响。根据行业消息人士 @手机晶片达人 的爆料，英伟达已与三星达成一项重要合作，目标是使用3nm GAA工艺制程，在2025年实现显卡的量产。本文将对这一消息进行详细分析，并展望这一合作可能带来的变革。
首先，让我们回顾一下，英伟达一直以来都是图形处理领域的领军者，其显卡产品备受游戏玩家和专业用户的青睐。而这次合作的关键焦点是英伟达的下一代旗舰显卡——RTX 5090，它将采用3nm工艺制程，有望在明年年底与我们见面。
有趣的是，英伟达一直在积极推进其显卡技术，尤其是在芯片制造方面。这次的代号为Blackwell的下一代RTX显卡将成为Ada Lovelace系列的继任者。根据消息，Blackwell将拥有超过150亿个晶体管，晶体管密度将达到每平方毫米3亿个，核心时钟将超过3 GHz，总线密度将达到512位。
让我们更深入地看一下这款备受期待的RTX 5090显卡的技术规格。根据早前泄露的消息，这款显卡将包含144组SM单元，相当于18432个CUDA核心（假设每组SM仍然是128个CUDA核心）。此外，它还将配备96MB的二级缓存，搭载GDDR7显存（384位宽），并支持PCIe 5.0 x16接口。这一系列的技术规格将使其成为一款性能卓越的显卡，适用于各种高性能计算任务和游戏体验。
另一个引人注目的细节是，微星在台北的Computex电脑展上展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。这次展示揭示了微星在散热方面的创新，包括动态双金属鳍片、六条贯穿式纯铜热管以及大面积铝质鳍片中的铜片。这些设计元素进一步提高了散热效能，为显卡的稳定性和性能提供了坚实的基础。显存区域也采用了铜片，表明在散热设计上下一代显卡将有着更高的关注度。
综合考虑以上信息，我们可以合理猜测，RTX 5090的原始功耗和散热性能将令人印象深刻。这款显卡有望成为计算机硬件领域的一项重要突破，为高性能计算和游戏提供更多可能性。
最后，我们期待着在未来几年内见证英伟达和三星这一合作的成果。这个新纪元的到来将为我们带来更多创新，也让我们对计算机硬件的未来充满期待。